Ringkasan Tutorial Transistor

Kami dapat merangkum poin utama dalam bagian lebel tutorial Transistor ini sebagai berikut: Setelah melihat konstruksi dan operasi transistor NPN dan transistor PNP dari transistor bipolar serta transistor FET, baik persimpangan (junction) maupun gerbang (gate) berinsulasi, kita dapat merangkum poin utama tutorial transistor ini seperti dijelaskan di bawah ini:

• Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah tiga perangkat lapisan dibangun berupa dua junction dioda semikonduktor bergabung bersama-sama, satu forward bias dan satu reverse bias.
• Ada dua jenis utama transistor BJT yaitu transistor NPN dan transistor PNP.
• Transistor BJT adalah " Perangkat yang Dioperasikan Aus " di mana arus Base yang jauh lebih kecil menyebabkan arus Emitter ke Collector yang lebih besar, yang sendiri hampir sama, mengalir.
• Panah dalam simbol transistor mewakili aliran arus konvensional.
• Koneksi transistor yang paling umum adalah konfigurasi Common Emitter (CE) tetapi Common Base (CB) dan Common Collector (CC) juga tersedia.
• Membutuhkan tegangan Biasing untuk operasi penguat (amplifier) AC.
• Junction Base-Emitter selalu forward bias sedangkan junction Collector-Base selalu reverse bias.
• Persamaan standar untuk arus yang mengalir dalam transistor diberikan sebagai: I_E = I_B + I_C
• Collector atau output kurva karakteristik dapat digunakan untuk menemukan baik Ib, Ic atau β yang garis beban dapat dibangun untuk menentukan titik operasi yang cocok, Q dengan variasi arus base menentukan rentang operasi.
• Transistor juga dapat digunakan sebagai sakelar elektronik antara daerah saturasi dan cut-off untuk mengontrol perangkat seperti lampu, motor dan solenoida dll.
• Beban induktif seperti motor DC, Relai, dan solenoida membutuhkan dioda freewheeling reverse bias yang ditempatkan melintasi beban. Ini membantu mencegah ggl-balik yang diinduksi yang dihasilkan ketika beban diaktifkan "OFF" dari merusak transistor.
• Transistor NPN membutuhkan Base untuk menjadi lebih positif daripada Emitter sedangkan jenis PNP mengharuskan Emitter lebih positif daripada Base.

Tutorial Transistor FET

• Field Effect Transistor, atau FET adalah “ Perangkat yang Dioperasikan Tegangan ” dan dapat dibagi menjadi dua jenis utama: Perangkat Junction-gerbang yang disebut perangkat JFET dan Isolasi-gerbang yang disebut IGFET atau lebih dikenal sebagai MOSFET.
• Perangkat gerbang terisolasi juga dapat dibagi lagi menjadi tipe Enhancement (peningkatan) dan tipe Deplesi (penipisan). Semua formulir tersedia di versi N-channel dan P-channel.
• FET memiliki resistansi input sangat tinggi sehingga sangat sedikit atau tidak ada arus (tipe MOSFET) mengalir ke terminal input membuatnya ideal untuk digunakan sebagai sakelar elektronik.
• Impedansi input dari MOSFET bahkan lebih tinggi dari JFET karena lapisan oksida isolasi dan oleh karena itu listrik statis dapat dengan mudah merusak perangkat MOSFET sehingga perlu diperhatikan ketika menanganinya.
• Ketika tidak ada tegangan yang diterapkan ke gerbang enhancement FET, transistor berada dalam kondisi "OFF" mirip dengan "sakelar terbuka".
• FET deplesi secara inheren konduktif dan dalam "ON" ketika tidak ada tegangan yang diterapkan ke gerbang mirip dengan "sakelar tertutup".
• FET memiliki gain saat ini jauh lebih tinggi dibandingkan dengan transistor BJT.
• Koneksi FET yang paling umum adalah konfigurasi Common-Source (CS) tetapi konfigurasi Common-Gate (CG) dan Common-Drain (CD) juga tersedia.
• MOSFET dapat digunakan sebagai sakelar ideal karena resistansi "OFF" saluran (channel) yang sangat tinggi, resistansi "ON" yang rendah.
• Untuk mengubah transistor JFET N-channel "OFF", tegangan negatif harus diterapkan ke gerbang.
• Untuk mengubah transistor JFET P-channel "OFF", tegangan positif harus diterapkan ke gerbang.
• MOSFET Deplesi N-channel berada dalam keadaan "OFF" ketika tegangan negatif diterapkan ke gerbang untuk membuat daerah penipisan.
• MOSFET Deplesi P-channel, berada dalam kondisi "OFF" ketika tegangan positif diterapkan ke gerbang untuk membuat daerah penipisan.
• MOSFET Enhancement N-channel berada dalam keadaan "ON" ketika tegangan "+ve" (positif) diterapkan ke gerbang.
• MOSFET Enhancement N-channel dalam keadaan "ON" ketika tegangan "-ve" (negatif) diterapkan ke gerbang.

Bagan Transistor FET

Biasing Gerbang untuk transistor efek medan junction, (JFET) dan transistor efek medan semikonduktor oksida logam, (MOSFET) diberikan sebagai:

Type	Junction FET		Metal Oxide Semiconductor FET
	Mode Depletion		Mode Depletion		Mode Enhancement
Bias	ON	OFF	ON	OFF	ON	OFF
N-cahnnel	0V	-ve	0V	-ve	+ve	0V
P-channel	0V	+ve	0V	+ve	-ve	0V

Perbedaan antara FET dan Transistor Bipolar (BJT)

Transistor FET dapat digunakan untuk menggantikan Transistor BJT yang normal dalam rangkaian elektronik dan perbandingan sederhana antara Transistor FET dan BJT yang menyatakan kelebihan dan kekurangannya diberikan di bawah ini.

Di bawah ini adalah daftar transistor BJT komplementer yang dapat digunakan untuk switching tujuan umum dari relai arus rendah, penggerak LED dan lampu, dan untuk aplikasi Penguat (amplifier) dan Osilator.

No.	Field Effect Transistor (FET)	Bipolar Junction Transistor (BJT)
1	Gain tegangan rendah	Gain tegangan tinggi
2	Gain arus tinggi	Gain arus rendah
3	Impedansi Input sangat tinggi	Impedansi input rendah
4	Impedansi output tinggi	Impedansi output rendah
5	pembangkit kebisingan rendah	pembangkit kebisingan sedang
6	Waktu perpindahan yang cepat	Waktu perpindahan sedang
7	Mudah rusak secara statis	Kuat
8	Memerlukan beberapa input untuk mengubahnya "OFF"	Memerlukan input nol untuk mengubahnya "OFF"
9	Perangkat dikendalikan Tegangan	Perangkat yang dikendalikan Arus
10	Menunjukkan sifat-sifat Resistor
11	Lebih mahal dari bipolar	Murah
12	Sulit untuk bias	Mudah bias

Transistor NPN dan PNP Pelengkap (komplementer)

NPN	PNP	VCE	IC(max)	Pd
BC547	BC557	45v	100mA	600mW
BC447	BC448	80v	300mA	625mW
2N3904	2N3906	40v	200mA	625mW
2N2222	2N2907	30v	800mA	800mW
BC140	BC160	40v	1.0A	800mW
TIP29	TIP30	100v	1.0A	3W
BD137	BD138	60v	1.5A	1.25W
TIP3055	TIP2955	60v	15A	90W

Berbagi :